Cálculo de espectros de fotoemissão eletrônica de um dímero adsorvido em metal
dc.contributor | Universidade de São Paulo | |
dc.contributor.author | Libero, Valter Luiz | |
dc.date.accessioned | 2016-09-21T18:06:40Z | |
dc.date.available | 2016-09-21T18:06:40Z | |
dc.date.issued | 2007-06-29 | |
dc.description.abstract | Através da técnica do Grupo de Renormalização desenvolvida por Wilson em 1915, calcula-se o espectro de fotoemissão de elétrons (XPS) de um sistema constituído de dois níveis profundos separados pela distância R, acoplados entre si e adsorvidos num metal. A simetria de inversão desse sistema permite que se definam dois espectros de correntes, dos elétrons fotoemitidos do orbitalligante e do anti-ligante do adsorvido, respectivamente. Próximo ao limiar de fotoemissão (ωT) esses espectros seguem lei de potência; os expoentes correspondentes são determinados e expressos (com leis universais) em termos das defasagens dos elétrons de condução. Se a separação R entre os sítios for nula, o espectro associado ao orbital ligante terá uma singularidade em ω - ωT = Δ, onde Δ é a taxa de tunelamento eletrônico entre os níveis profundos. Com o aumento dessa separação a singularidade é arrendondada em razão de decaimentos não radiativos envolvendo os orbitais profundos, o que dá um tempo de vida finito ao buraco criado pelo raio-x. Este trabalho calcula pela primeira vez a renormalização da taxa de tunelamento, devido aos processos não radiativos. | |
dc.description.abstract | The Renormalization Group technique developed by Wilson in 1975 is used to calculate photoemission spectra (XPS) for a dimer adsorbed on a metal; our model for this system comprises two deep levels, separated by a distance R, coupled to each other, and interacting electrostatically with the sorbate. The inversion symmetry is used to define two electronics currents, coming from the bonding and anti-bonding orbitals of the dimer, respectively. Near threshold each spectrum follow a power law; the exponents are calculated and expressed (by universal laws) in terms of the phase shifts of the conduction electrons. If the distance R between the levels is zero, the spectrum associated to the bonding orbital has a singularity at ω - ωT = Δ, where Δ is the electronic tunneling rate between the deep levels. For increasing R, the singularity is smoothed out, due to the non-radiative decay of an electron from the anti-bonding to the bonding orbital, which makes finite the lifetime of the hole created by the x-ray. This work presents the first accurate calculation of the renormalization of the tunneling rate by this non-radiative decay. | |
dc.format | application/pdf | |
dc.identifier.doi | 10.11606/T.54.1989.tde-21052007-171345 | |
dc.identifier.uri | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54131/tde-21052007-171345/ | |
dc.identifier.uri | http://repositorio.ifsc.usp.br/handle/RIIFSC/6928 | |
dc.language | pt | |
dc.rights.holder | Libero, Valter Luiz | |
dc.subject | Densidade espectral | |
dc.subject | Grupo de renormalização | |
dc.subject | Tunelamento | |
dc.subject | Renormalizations group | |
dc.subject | Spectral density | |
dc.subject | Tunneling | |
dc.title | Cálculo de espectros de fotoemissão eletrônica de um dímero adsorvido em metal | |
dc.title.alternative | Electronic photoemission spectra of a dimmer embedded in a metal | |
dc.type | Tese de Doutorado | |
usp.advisor | Oliveira, Luiz Nunes de | |
usp.date.defense | 1989-08-29 |