Efeitos polarônicos em estruturas semicondutoras em uma e duas dimensões.

dc.contributorUniversidade de São Paulo
dc.contributor.authorOsorio, Francisco Aparecido Pinto
dc.date.accessioned2016-09-21T18:07:29Z
dc.date.available2016-09-21T18:07:29Z
dc.date.issued2009-04-08
dc.description.abstractNeste trabalho estudamos os efeitos polarônicos sobre um gás de elétrons quase bidimensional presente em heteroestruturas semicondutoras (heterojunções e poços quânticos de GaAs-AlGaAs) sob a ação de um campo magnético uniforme aplicado na direção perpendicular a interface, através de teoria de perturbação de segunda ordem. Calculamos a massa ciclotrônica considerando a interação elétron-fonon LO e os efeitos de blindagem e não parabolicidade da banda de condução do GaAs. Os resultados obtidos são comparados com recentes dados experimentais de ressonância ciclotronica e apresentam ótima concordância. Estudamos também a energia de ligação do estado fundamental de uma impureza hidrogenóide localizada no interior de um fio quântico retangular de GaAs envolvido por AlGaAs, como função das dimensões do fio para varias alturas das barreiras de variacional, usando várias formas para a função de onda tentativa do sistema. Consideramos também a contribuição polarônica a energia de ligação. Comparamos nossos resultados com recentes cálculos da energia de ligação, efetuados por outros autores.
dc.description.abstractIn this work we study the polaronic effects on the two dimensional electron gas present in semiconductor heteroestructures (GaAs-AlGaAs heterojunctions and quantum wells) when a uniform magnetic field is applied perpendicular to the interface, using second order perturbation theory. By taking into account the effect of nonparabolicity and screening of the electron-fonon LO interaction the calculated effective mass is compared to the recent experimental date. Good agreement is found with available date. The binding energies of a hydrogenic impurity located in quantum well wires of GaAs surrounded by AlGaAs are calculated as a functions of the size of the wire for several values of the heights of the potential barriers and diferent positions of the impurity inside the wire. We follow a variational approach choosing several trial wave functions for the ground state. The polaronic contribution to the binding energy is considered. We compare our results with those previously obtained by other authors.
dc.formatapplication/pdf
dc.identifier.doi10.11606/D.54.1988.tde-09032009-151729
dc.identifier.urihttp://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54131/tde-09032009-151729/
dc.identifier.urihttp://repositorio.ifsc.usp.br/handle/RIIFSC/6975
dc.languagept
dc.rights.holderOsorio, Francisco Aparecido Pinto
dc.subjectRessonância de cíclotron
dc.subjectPolaron
dc.subjectInteração elétron-fonon
dc.subjectImpureza doadora em semicondutores
dc.subjectFio quântico
dc.subjectImpurity donor in a semiconductor
dc.subjectPolaron
dc.subjectElectron-phonon interaction
dc.subjectQuantum wire
dc.subjectCyclotron resonance
dc.titleEfeitos polarônicos em estruturas semicondutoras em uma e duas dimensões.
dc.title.alternativePolaronic effects in one and two dimensional semiconductor heterostructures.
dc.typeDissertação de Mestrado
usp.advisorDegani, Marcos Henrique
usp.date.defense1988-05-18

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