Universidade de São PauloAnjos, Virgílio de Carvalho dos2016-09-212016-09-212014-04-16http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54131/tde-15042014-140240/http://repositorio.ifsc.usp.br/handle/RIIFSC/7137Neste trabalho apresentamos um cálculo teórico para o espalhamento Raman eletrônico via flutuações de densidade de spin de uma super-rede &#948-dopada de GaAs. A estrutura eletrônica da super-rede é determinada utilizando-se a teoria do funcional densidade dentro da aproximação de densidade local. O cálculo da seção de choque revela que sob condições de extrema ressonância existe uma forte dependência das formas de linha com a freqüência de excitação indicando a coexistência de um gás bi e tri-dimensional de elétrons nesta estrutura. Os resultados obtidos mostram excelente acordo entre teoria e experimento.In this work we theoretically investigate the electronic Raman scattering by spin density fluctuations in periodically &#948-doped GaAs. The electronic structure of the superlattice is determined using density functional theory within the local-density-functional approximation. The calculation of the cross section reveals a strong dependence of the line shape on the exciting frequency under conditions of extreme resonance, which indicates the coexistence of a two and three-dimensional electron gas. The results show an excellent agreement between theory and experiment.application/pdf&#948-Si:GaAsEspalhamento RamanSuper-redes&#948-Si:GaAsRaman scatteringSuperlatticesDissertação de MestradoAnjos, Virgílio de Carvalho dos10.11606/D.54.1993.tde-15042014-140240