Universidade de São PauloZilio, Sergio Carlos2016-09-212016-09-212007-09-13http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54131/tde-21052007-161450/http://repositorio.ifsc.usp.br/handle/RIIFSC/6943Encontrou-se que a relaxação dielétrica dos dipolos impureza-vacância em KI dopado com pequenas quantidades de KCl é extremamente diferente da relaxação dielétrica na matriz KI não contendo íons Cl-. Os novos picos de relaxação, atribuídos à presença do Cl- na vizinhança imediata do íon divalente, tem um tempo de relaxação 103 vezes menor que o normal na temperatura ambiente. Foi proposto um modelo para o aprisionamento dos íons divalentes pelo Cl- e estudado a influência dos raios atômicos do divalente e do anion estranho neste processo de aprisionamento.The dielectric relaxation due to I-V dipoles in KI doped with small amounts of KCl was found to be strongly different than in KI crystals not containing Cl-ions. The new relaxation peak attributed to the presence of the Cl- in the close neighborhood of the divalent ion has a relax¬ation time 103 greater than the normal one. A model for the trapping of the divalent ions by the Cl- is proposed. The influence of atomic radius of the divalent and the impurity anion is discussed.application/pdfCorrente termo-estimuladaDefeitosHologentos alcalinosRelaxação dielétricaAlkalihalidesDefectsDielectric relaxationThermo-stimulated currentTese de DoutoradoZilio, Sergio Carlos10.11606/T.54.1983.tde-21052007-161450