Universidade de São PauloBeloto, Antonio Fernando2016-09-212016-09-212009-08-07http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-27072009-142622/http://repositorio.ifsc.usp.br/handle/RIIFSC/7019Foram desenvolvidos sistemas de medidas visando a caracterização de células solares de sílico monocristalino. Para isso, foram determinadas as características I x V no escuro para diferentes níveis de iluminação. Curvas de resposta espectral e capacitância em função da tensão inversa aplicada foram também obtidas. Foi feita uma avaliação do comportamento dessas células em função da temperatura e realizadas medidas de profundidade de junção utilizando-se três métodos distintos. Os principais parâmetros, que determinam o desempenho dessas células, foram obtidos boa concordância com a teoria e com os resultados apresentados na literatura.Systems of measurements were developed for the characterization of single crystal silicon solar cells. For that, the curves I x V were measured in the dark and for different intensity of illumination. Curves of spectral response and of capacitance as a function of the reciprocal of the voltage were also measured. The behavior of the cells as a function of temperature was analysed and also measurements of junction depth were made by three different methods. Values for the parameters that characterize the cells were obtained, showing a good agreement with theoretical values and also with already reported values.application/pdfCaracterização elétricaSilício monocristalinoPotência máximaTensão de circuito abertoFator de preenchimentoEficiência de conversãoCorrente de curto-circuitoCélulas solaresElectric characterizationSolar cellsShort circuit currentConversion efficiencyOpen circuit voltageMonocrystalline siliconFill factorMaximum powerDissertação de MestradoBeloto, Antonio Fernando10.11606/D.54.1983.tde-27072009-142622