Propriedades opto-eletrônicas de filmes finos

Abstract

Estudo de novos compostos semicondutores emissores de luz. Os semicondutores de trabalho serão aqueles à base de Si, Ga, Al, etc., em suas várias formas: amorfo, micro-cristalino, sob a forma de ligas de N ou O e, dopados com íons terras-raras (Er3+. Nd3+, Pr3+, Tm3+, etc.). Em termos práticos, o estudo dos referidos compostos apresenta grande apelo tecnológico, no que diz respeito à obtenção de dispositivos emissores de luz operando a diferentes comprimentos de onda. Levando-se em conta a complexidade dos fenômenos físico-químicos existentes nesses compostos, vários tipos de caracterização fazem-se necessários. Dentre eles e, em função dos objetivos finais (construção de dispositivo eletro-óptico simples tal como um LED), diferentes técnicas espectroscópicas serão utilizadas, destacando-se: espectroscopia óptica (absorção nas regiões do UV-VIS-IR, espalhamento Raman, foto-luminescência), ressonância magnética, SEM, AFM, XPS, Auger, RBS, NRA, etc., e devem ser amplamente utilizadas duirante o desenvolvimento desse programa.