Sistema de crescimento epitaxial para materiais semicondutores do grupo III-V diluídos com materiais magnéticos

Abstract

A presente proposta visa à aquisição de um sistema de crescimento epitaxial a partir de feixes moleculares (molecular beam epitaxy) para o crescimento de materiais semicondutores do grupo 11 l-V diluídos com materiais magnéticos para aplicações em estudos básicos e nanofotônica. Este sistema de crescimento epitaxial será instalado no Instituto de Física de São Carlos da Universidade de São Paulo e gerenciado pelo grupo de Nanoestruturas Semicondutoras, que com seus membros com mais de 15 anos de experiência, será o responsável pelo crescimento e manutenção do sistema. Com a instalação deste sistema de crescimento epitaxial o grupo passará a atuar como polo de crescimento de amostras baseadas em compostos e hetero-estruturas do grupo III-V, diluídas ou não com materiais magnéticos. Atualmente há quatro sistemas de crescimento epitaxiais instalados em universidades e institutos de pesquisa do estado de São Paulo sendo que nenhum destes cresce filmes semicondutores do grupo III-V diluídos com materiais magnéticos. A criação deste polo de crescimento de amostras será de grande importância para os vários pesquisadores e grupos no estado de São Paulo que desenvolvem pesquisas baseadas nestes materiais.