Efeito de interação elétron-elétron no transporte eletrônico e nos estados ligados em nano-estruturas semicondutoras

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dc.contributorInstituto de Física de São Carlos – IFSC/USPpt_BR
dc.contributor.authorHai, Guo Qiang
dc.date.accessioned2015-10-26T11:59:13Z
dc.date.available2015-10-26T11:59:13Z
dc.date.issued2015-10-26
dc.description.abstractO objetivo principal deste projeto é o estudo teórico dos seguintes assuntos: (i) Efeitos de interação elétron-elétron na condutância eletrônica e no espalhamento elétron-elétron através de pontos quânticos confinados em uma estrutura modelada quase unidimensional considerando os estados de spin dos elétrons; e (ii) Estados ligados de dois elétrons e blindagem não linear em sistemas bidimensionais considerando os elétrons ligados ao centro de uma impureza doadora ou sujeitos a um potencial de modulação no plano. Incluímos também neste projeto, alguns trabalhos em andamento sobre os "clusters" de átomos metálicos.pt_BR
dc.description.notesOutorgado: Prof. Dr. Guo Qiang Hai; Universidade de São Paulo, USP, Instituto de Física de São Carlos, IFSC, Departamento de Física e Ciência dos Materiais, FCM, Grupo de Física Teórica, São Carlos, SP, Brasilpt_BR
dc.description.sponsorshipFAPESP (12/50239-7)pt_BR
dc.format1 p.pt_BR
dc.format.mediumDigitalpt_BR
dc.identifier.urihttp://repositorio.ifsc.usp.br/handle/RIIFSC/5904
dc.language.isoporpt_BR
dc.rightsAcesso abertopt_BR
dc.subjectSemicondutorespt_BR
dc.subject.classificationIFSC - FCMpt_BR
dc.titleEfeito de interação elétron-elétron no transporte eletrônico e nos estados ligados em nano-estruturas semicondutoraspt_BR
dc.type.categoryPesquisapt_BR
usp.date.end2013-06-30
usp.date.initial2012-07-01
usp.date.ratification2012
usp.description.localSão Carlos, SP, Brasilpt_BR
usp.isreferencedbyhttp://www.bv.fapesp.br/pt/auxilios/48044/efeito-de-interacao-eletron-eletron-no-transporte-eletronico-e-nos-estados-ligados-em-nano-estrutura/pt_BR

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