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Item Crescimento e caracterização de pontos quânticos naturais de InAs e In0.5Ga0.5As sobre diferentes orientações cristalográficas do substrato de GaAs.(2009-06-03) Borrero, Pedro Pablo GonzalezPontos quânticos naturais ou auto-organizados de InAs e In0.5Ga0.5As foram produzidos sobre substratos de GaAs com diferentes orientações cristalográficas, utilizando-se a técnica de Epitaxia por Feixes Moleculares. Tais pontos foram caracterizados in situ através da Difração de Elétrons de Alta Energia por Reflexão (RHEED). As características do padrão do RHEED permitiram a determinação da espessura crítica para a qual ocorre a transição do modo de crescimento em duas dimensões para o de três dimensões, assim como também os planos perto dos quais, as faces das ilhas se encontram. A verificação dos resultados do RHEED foi feita utilizando Microscopia por Força Atômica. Esta técnica permitiu também determinar tanto a forma, densidade, altura e base das ilhas, como a morfologia da superfície onde os pontos não foram formados. Estudos ópticos das ilhas foram realizados, utilizando a técnica de Fotoluminescência (FL). Os resultados permitiram observar uma grande dependência dos espectros de FL com a orientação do substrato. Tal dependência é constatada na intensidade, forma e posição energética do pico de FL. A existência de um confinamento lateral adicional nestes pontos foi observada na dependência da intensidade do pico de FL com a temperatura. Medidas de polarização mostraram uma grande anisotropia estrutural para os pontos quânticos no plano, em concordância com os resultados do RHEED.Item Crescimento de In0.52Al0.48As e In0.53Ga0.47As sobre InP por MBE(2009-01-19) Charcape, Galo Emilio SisniegasNeste trabalho a epitaxia por feixes moleculares (Molecular Beam Epitaxy: MBE) foi utilizada para crescer estruturas de gases bidimensionais a base de In0.53Ga0.47As/ In0.52Al0.48As sobre substrato de fosfeto de índio (InP) e analisar suas propriedades estruturais. elétricas e óticas através de técnicas de caracterização, tais como efeito Hall, fotoluminescência (FL). Shubnikov-de Haas (SdH) e microscopia eletrônica de varredura (MEV). A calibração dos parâmetros de crescimento tais como a taxa de crescimento e a composição das ligas In0.53Ga0.47As/ In0.52Al0.48As foi feita através da observação das oscilações da da difração de elétrons de alta energia observado em reflexão (Reflection High-Energy Electron Difraction : RHEED) A densidade de dopante tipo n (em nosso caso. 0 silício) foi determinada posteriormente através de medidas de efeito Hall usando a técnica de Van der Pauw. Os resultados da Fotoluminescência mostram uma transição doador-banda com largura a meia altura (Full Width at Half Maximum : FWHM) de aproximadamente 23 meV, para a liga de In0.52Al0.48As. A formação de gás bidimensional nestas mesmas amostras tem sido observado indiretamente pela ocorrência de oscilações SdH.Item Estudo de incorporações de impurezas doadoras em estruturas semicondutoras III-V crescidas por epitaxia por feixes moleculares.(2009-03-24) Notari, Airton CarlosAmostras de Semicondutores III-V foram crescidas usando a técnica de Epitaxia por feixes Moleculares. As propriedades elétricas das estruturas de GaAs com dopagem planar com Silício foram investigadas, e também a saturação e a difusão do Silício nestas amostras. As propriedades ópticas e elétricas das estruturas dopadas planarmente com Selênio foram analisadas, usando as técnicas de Capacitância-voltagem e a de Tunelamento resonante. As propriedades elétricas dos poços quânticos a base de InGaAs/GaAs foram investigadas, em função da posição da impureza planarmente dopada com Silício.Item Um estudo sobre centros DX em AlxGa1-xAs(2007-11-23) Scalvi, Luis Vicente de AndradeÉ feito um resumo dos principais modelos criados para se explicar as intrigantes propriedades do centro DX e atualizar o problema. O decaimento da fotocondutividade persistente (PPC) é medido em AlxGa1-x As dopado com Si e se discute a validade dos modelos em função da cinética de captura dos elétrons pelos centros DX. Boa concordância com o modelo de Chadi e Chang é encontrada desde que se postule a existência de um nível doador mais raso. O crescimento por MBE assim como todo o processamento de amostras para os experimentos realizados é descrito sinteticamente. É discutido também o problema dos contatos a baixa temperatura e a possível influência dos centros DX nos desvios do comportamento ôhmico observados. Inclui-se também a descoberta da. fotocondutividade persistente em AlxGa1-xAs dopado com Pb, que também é relacionado à existência dos centros DX.