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Item Crescimento de cristais de HgI2,PbI2 e PbI2: HgI2 para aplicações em detetores de radiação Ionizante(2013-12-09) Andreeta, Érika Regina ManoelNeste trabalho realizamos o crescimento de monocristais de α-HgI2 e PbI2, utilizados na confecção de detectores de radiação ionizante (raio-x e raio gama) a temperatura ambiente, bem como o crescimento de PbI2:HgI2 com composição nominal de HgI2 variando de 600 ppm ate 50000 ppm. Utilizamos o método de sublimação repetida para a purificação do iodeto de mercúrio e o crescimento do mesmo foi realizado pelo método PVT - \"Physical Vapor Transport\". Cristais de PbI2 and PbI2:HgI2 foram crescidos pelo método Bridgman. Apesar das diferentes estruturas cristalinas do HgI2 e PbI2, encontramos um limite de solubilidade em tomo de 600 ppm do iodeto de mercúrio no iodeto de chumbo. Através das medidas de fotoluminescência obtivemos informações sobre a pureza e qualidade cristalina das amostras obtidas. A largura da banda proibida dos cristais foi determinada através da absorção óptica, sendo de 2.10 eV para o HgI2 e por volta de 2.3 eV para o PbI2 e os cristais de PbI2: HgI2. Medimos também a condutividade elétrica em função da temperatura em todas as amostras. O valor da condutividade elétrica a temperatura ambiente e de 10-13 Ω-1 cm-1 para o HgI2, 10-12Ω-1 cm-1 para o PbI2 e varia entre 10-11 e 10-14 Ω-1 cm-1 para os cristais de PbI2: HgI2. Os cristais de HgI2 e PbI2 obtidos possuem boa qualidade cristalina, pureza, altos valores de largura de banda proibida e baixos valores de condutividade elétrica; qualidades necessárias para o bom desempenho em detectores de radiação ionizanteItem Espectroscopia de ions Eu+3 em cristais de baixa simetria(2009-08-31) Oliveira, Antonio Cesar deNeste trabalho estudamos o íon Eu3+ no aluminato EuAlO3 e no garnet Ca3Ga2Ge3O12:Eu+3 através de espectroscopia óptica. Técnicas convencionais de absorção e fluorescência foram utilziadas, e elas nos permitiram um levantamento sistemático dos níveis eletrônicos 7FJ (J= 0,1,2,3,4) e 5DJ (J= 0,1,2) do Eu+3. A análise dos espectros de absorção feitos com luz polarizada confirma a ocupação dos íons Eu+3 em sítios de simetria C no EuAlO3. Com isso também confirmamos as regras de seleção esperadas. Efetuamos medidas da variação da largura de linha com a temperatura, da transição 7F1 → 5D0 em EuAlO3. Isso nos permitiu determinar a estatística de íons excitados termicamente ao sub-nível 7F1, cuja energia é próxima a kT para temperatura ambiente. Os espectros de fluorescência resolvida no tempo nos forneceram o comportamento do decaimento radiativo em função da temperatura para as transições 5D0 → 7FJ do Eu3+ tanto no sistema EuAlO3 quanto no garnet Ca3Ga2Ge3O12:Eu+3. Além das técnicas convencionais citadas acima, utilizamos também uma técnica espectroscópica não linear denominada Coherent antiStokes Raman Spectroscopy. Essa é uma técnica muito útil na determinação de níveis vibracionais ou eletrônicos na região de infravermelho. O processo de alinhamento e medidas preliminares foram feitos com o benzeno e a calcita (CaCO3). Na seqüência processamos a detecção e o estudo de um dos níveis 7F2 do Eu+3 no garnet.