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Autor: search.filters.author.Santos, Antonio Sergio dosAssunto: search.filters.subject.Excitons

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    O método adiabático hiperesférico para excitons ligados à impurezas doadoras em semicondutores
    (2014-04-24) Santos, Antonio Sergio dos
    Energias de ligação para excitons ligados por impurezas doadoras no ZnSe e CdS são calculadas pelo Método Adiabático Hiperesférico. Os acoplamentos não adiabáticos são incluídos na equação radial levando a valores de energias menores que os valores variacionais encontrados na literatura. Estados ressonantes, similares a estados autoionizantes em átomos de dois elétrons, são obtidos acima do primeiro limiar de ionização elétron-impureza.