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    Influencia de campo elétrico na segregação de dopantes durante o processo de crescimento de cristais pelo método Czochralski
    (2014-08-21) Octaviano, Edson Salvador
    Em processos de crescimento de cristais pelo método de Czochralski, é observado que um campo elétrico aplicado ao cristal durante o processo de crescimento modifica a quantidade de dopante incorporada ao cristal. É desenvolvido um modelo, baseado na teoria de Burton, Prim e Slichter, levando-se em consideração as duas classes de material envolvidas, os óxidos e os semicondutores, e os efeitos produzidos pelo campo elétrico, eletromigração, subresfriamento constitucional, Efeito Peltier e efeito Seebeck. Resultados experimentais obtidos em crescimentos de LiNbO3:Cr2O3 e Si:Al são usados para aplicações do modelo
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    Crescimento e caracterizacao de monoscristais de LINBO IND. 3 e suas soluções solidas oxidas
    (2013-12-18) Octaviano, Edson Salvador
    A ênfase de todo o trabalho é relacionada com a preparação de soluções sólidas, concentrando-se na matriz de niobato de lítio, LiNbO3, puro e suas soluções sólidas óxidas, onde obtemos monocristais de LiNbO3 com Cr3+, Fe3+ e Mg2+. Os monocristais de LiNbO3são obtidos pelo método de Czochralski (fusão) e a caracterização de suas propriedades está voltada para a análise da perfeição estrutural, da distribuição de dopantes na matriz cristalina, da orientação dos domínios de dipolos ferroelétricos e o estudo do comportamento do coeficiente de segregação efetivo com os parâmetros de crescimento, com a cinética de adsorção e com o efeito de facetamento