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Item Estudo in situ do perfil de concentração do soluto durante o processo de crescimento e dissolução de monocristal de alfa-HgI2(2008-09-05) Hernandes, Antonio CarlosO perfil de concentração do soluto próximo à interface cristal/liquido foi estudado durante o processo de crescimento e dissolução de cristais de iodeto de mercúrio (\'ALFA\'-Hg\'I IND.2\') com a técnica óptica medida de fase par difração, denominada de \"diffrasor\". A técnica é simples, sensível a fenômenos hidrodinâmicos e pode ser usada tanto em macro com em micro-observações. Com essa técnica medimos, pela primeira vez, o perfil de concentração do soluto até 10 \'mu\'m da superfície do cristal. Os resultados mostram que o crescimento do \'ALFA\'-Hg\'I IND.2\' é fortemente afetado pela supersaturação da solução, a qualidade da superfície cristalina, a convecção da solução, a história do processo de crescimento e o número de faces vinculadas. A difusão do soluto e o fluxo interfacial são considerados os responsáveis pelo transporte de massa durante o processo de crescimento da face (001) do \'ALFA\'-Hg\'I IND.2\'. Uma anomalia no perfil de concentração próximo da interface foi detectada, pela primeira vez, durante a dissolução de um cristal de iodeto de mercúrio. Nós acreditamos QUe essa anomalia está diretamente associada aos fluxos de soluto.Item Crescimento, caracterização e aplicação de monocristais de tgs em detetores de radiação na região de infravermelho(2007-10-05) Hernandes, Antonio CarlosUtilizando o método de crescimento de cristais por solução aquosa preparamos grandes monocristais de sulfato de triglicina (TGS). Os resultados obtidos na caracterização dos monocristais garantiram uma alta qualidade óptica e estrutural, pré-requisitos básicos para o futuro desenvolvimento de detetores de radiação infravermelha. Também, são apresentados os resultados de responsividade de voltagem, tempo de resposta e resposta espectral de um protótipo de detetor construído com os monocristais. Considerações gerais sobre a teoria de crescimento de cristais são apresentadas juntamente com uma revisão bibliográfica dos principais resultados sobre a dependência da velocidade linear de crescimento com a supersaturação relativa para três direções cristalográficas. Além disso, uma abordagem sobre a velocidade média de crescimento de um dos experimentos é efetuada para exemplificar um dos mecanismos que atuam no crescimento por solução. Devido ao interesse do DFCM (Departamento de Física e Ciência dos Materiais) e de alguns grupos de pesquisa do país foram crescidos outros monocristais, como dihidrogênio fosfato de potássio (KDP) e de TGS dopados.Item Solidificação unidirecional de materiais dielétricos óxidos pela técnica de fusão a laser(2015-10-22) Hernandes, Antonio CarlosDesenvolvimento de materiais dielétricos óxidos com propriedades físicas adequadas para uso em dispositivo do estado sólido ativo ou passivo. Materiais dielétricos cristalinos de compostos óxidos apresentam uma vasta gama de aplicações tecnológicas, devido à possibilidade de se alterar suas propriedades físicas pela presença de defeitos cristalográficos e químicos. Será realizado estudo sistemático do processo de preparação de materiais óxidos do tipo REAIO3(Re=Y,La,Gd), AB206 (A=Mg,Zn e B=Nb e Ta) e de compostos eutéticos do tipo AI203/REAIO3 com a finalidade de determinar as condições ótimas de solidificação através da técnica "Laser Heated Pedestal Growth" e efetuar caracterização física com o intuito de determinar as potecnialidades tecnológicas das fibras puxadas. Um problema comum a esses materiais, a tendência em perder oxigênio durante o processo de preparação, ainda não está completamente entendido e será abordado no projeto.