Logo do repositório
Comunidades & Coleções
Tudo no DSpace
  • English
  • Español
  • Português do Brasil
Entrar
Novo usuário? Clique aqui para cadastrar.Esqueceu sua senha?
  1. Início
  2. Pesquisar por Autor

Navegando por Autor "Marin, Ivan Silvestre Paganini"

Filtrar resultados informando as primeiras letras
Agora exibindo 1 - 1 de 1
  • Resultados por Página
  • Opções de Ordenação
  • Nenhuma Miniatura Disponível
    Item
    Propriedades eletrônicas de heteroestruturas semicondutoras magnéticas diluídas.
    (2009-08-25) Marin, Ivan Silvestre Paganini
    Neste trabalho e apresentado um estudo, via teoria de massa efetiva multibanda autoconsistente de heteroestruturas de semicondutores magnéticos diluídos, generalizada para incluir parâmetros de diferentes materiais. A interacao magnética e descrita por um modelo de campo médio baseado no mecanismo de troca indireta, com a possibilidade de inclusão de diferentes íons magnéticos. As equacoes de massa efetiva são resolvidas de forma autoconsistente com o auxílio da equacao de Poisson. As interacoes de spin-órbita e de troca-correlacao, na aproximacao de densidade local, são incluídas no cálculo. O método e aplicado para o estudo das estruturas de bandas e densidades de carga com separacao por spin do portador de heteroestruturas com dopagem tipo-n e tipo-p, variando a geometria dos pocos magnéticos e também o período da super-rede, as densidades de portadores e as concentracoes de íons magnéticos. Solucoes autoconsistentes da equacao de massa efetiva são encontradas para o oxido semicondutor (Zn,Co)O. Será mostrada a separacao de portadores por spin em funcao dos parâmetros variados, simulando diversas concentracoes possíveis, utilizadas em sistemas descritos na literatura, e será analisado o comportamento dos perfis de potencial. Usando os dados obtidos, um diagrama de fases será traçado com base na polarizacao total ou parcial dos portadores, e o seu comportamento será discutido. Também serão mostradas as estruturas de bandas, os perfis de potencial e as distribuicoes de carga do semicondutor (GaMn)As, variando as densidades de portadores e a direcao do campo magnético intrínseco, gerado pela dopagem com íons magnéticos. Os resultados obtidos neste trabalho podem servir de guia para futuras experiências e para o desenvolvimento de dispositivos com semicondutores magnéticos diluídos baseados em (Zn,Co)O e (Ga,Mn)As. Os métodos aqui descritos são gerais e podem ser utilizados para outros materiais.

DSpace software copyright © 2002-2025 LYRASIS

  • Enviar uma sugestão
Logo do repositório COAR Notify