Estudo dos mecanismos de cristalização em semicondutores amorfos

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dc.contributorInstituto de Física de São Carlos – IFSC/USPpt_BR
dc.contributor.authorZanatta, Antonio Ricardo
dc.date.accessioned2017-05-15T19:16:29Z
dc.date.available2017-05-15T19:16:29Z
dc.date.issued2017-05-15
dc.description.abstractEste Projeto de Pesquisa tem por objetivo principal o estudo dos mecanismos microscópicos de cristalização em semicondutores amorfos. Os sistemas investigados serão compostos por filmes finos à base de silício amorfo (a-Si) sob três formas principais: (a) dopados (com concentrações variáveis de espécies metálicas), (b) na forma de interfaces (filmes de a-Si/metal), e (c) como estruturas laterais (linhas ou pontos de metal recobertos por a-Si, por exemplo). Em todas as situações, os filmes (e/ou estruturas) serão preparados pela técnica de sputtering de rádio frequência sob diferentes condições experimentais: envolvendo diferentes espécies metálicas (Al, Ni, Fe, etc.); sob diferentes concentrações atômicas; com diferentes espessuras e/ou geometrias; etc. Uma vez preparados, os mecanismos de cristalização podem ocorrer de diversas maneiras: sob a influência de tratamentos térmicos; induzida por espécies metálicas; devido à incidência de radiação laser; sob a aplicação de potenciais elétricos; ou devido à ação de deformações mecânicas externas ou pressão, por exemplo. Para uma investigação detalhada dos mecanismos microscópicos de cristalização, as amostras serão analisadas mediante diferentes técnicas experimentais: espalhamento Raman, espectroscopia óptica, técnicas de microscopia, análise por feixe de íons, espectroscopia de elétrons foto-excitados, etc. Por fim, e a partir de uma abordagem original e sistemática, esperamos obter uma visão microscópica (e realista) dos principais fenômenos que regem a cristalização de filmes de Si amorfo um tema de grande interesse atual, tanto sob o ponto de vista acadêmico quanto tecnológico.pt_BR
dc.description.notesOutorgado: Prof. Dr. Antônio Ricardo Zanatta; Universidade de São Paulo, USP, Instituto de Física de São Carlos, IFSC, Departamento de Física e Ciência Interdisciplinar, FCI, Grupo de Filmes Finos, São Carlos, SP, Brasil.pt_BR
dc.description.sponsorshipFAPESP (06/01546-3)pt_BR
dc.format1 p.pt_BR
dc.format.mediumDigitalpt_BR
dc.identifier.urihttp://repositorio.ifsc.usp.br/handle/RIIFSC/8846
dc.language.isoporpt_BR
dc.rightsAcesso abertopt_BR
dc.subjectFilmes finospt_BR
dc.subject.classificationIFSC - FCIpt_BR
dc.titleEstudo dos mecanismos de cristalização em semicondutores amorfospt_BR
dc.type.categoryPesquisapt_BR
usp.date.end2009-03-31
usp.date.initial2007-04-01
usp.date.ratification2007
usp.description.localSão Carlos, SP, Brasilpt_BR
usp.isreferencedbyhttp://www.bv.fapesp.br/pt/auxilios/21926/estudo-dos-mecanismos-de-cristalizacao-em-semicondutores-amorfos/pt_BR
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