O método adiabático hiperesférico para excitons ligados à impurezas doadoras em semicondutores

dc.contributorUniversidade de São Paulo
dc.contributor.authorSantos, Antonio Sergio dos
dc.date.accessioned2016-09-21T18:12:32Z
dc.date.available2016-09-21T18:12:32Z
dc.date.issued2014-04-24
dc.description.abstractEnergias de ligação para excitons ligados por impurezas doadoras no ZnSe e CdS são calculadas pelo Método Adiabático Hiperesférico. Os acoplamentos não adiabáticos são incluídos na equação radial levando a valores de energias menores que os valores variacionais encontrados na literatura. Estados ressonantes, similares a estados autoionizantes em átomos de dois elétrons, são obtidos acima do primeiro limiar de ionização elétron-impureza.
dc.description.abstractBinding energy for excitons trapped by impurities in ZnSe and CdS are calculated withing the hyperspherical adiabatic approach. The non adiabatic couplings are included in the radial equations leading to energies lower than the variational values available in the literature. Resonant states similar to autoionizing lines in atoms are predicted to lie above the first electron-impurity ionization threshold.
dc.formatapplication/pdf
dc.identifier.doi10.11606/D.76.1998.tde-22042014-154005
dc.identifier.urihttp://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76131/tde-22042014-154005/
dc.identifier.urihttp://repositorio.ifsc.usp.br/handle/RIIFSC/8127
dc.languagept
dc.rights.holderSantos, Antonio Sergio dos
dc.subjectExcitons
dc.subjectMétodo adiabático hiperesférico
dc.subjectProblema de três corpos
dc.subjectExcitons
dc.subjectHyperspherical adiabatic approach
dc.subjectThree-body problem
dc.titleO método adiabático hiperesférico para excitons ligados à impurezas doadoras em semicondutores
dc.title.alternativeHyperspherical adiabatic approach for excitons bound to ionized donors in semiconductors
dc.typeDissertação de Mestrado
usp.advisorHornos, Jose Eduardo Martinho
usp.date.defense1998-03-27
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