Magnetopolarons em heteroestruturas semicondutoras de baixa dimensionalidade.

dc.contributorUniversidade de São Paulo
dc.contributor.authorOsorio, Francisco Aparecido Pinto
dc.date.accessioned2016-09-21T18:08:16Z
dc.date.available2016-09-21T18:08:16Z
dc.date.issued2009-08-14
dc.description.abstractNós calculamos o efeito da interação elétron-fonons longitudinais óticos (LO) sobre a energia de transição ls &#8594 2p+ entre os níveis de uma impureza doadora, localizada em um poço quântico de GaAs-AlxGa1-xAs. Nossos resultados para a energia de transição em função do campo magnético aplicado mostram claramente, que a saturação da energia de transição (efeito pinning) ocorre na energia dos fônons LO, em boa concordância com recentes dados experimentais. Obtemos também a massa de cíclotron de polarons confinados em fios quânticos quase-unidimensionais, com potencial de confinamento parabólico. Observamos que o comportamento da massa é diferente daquele para sistemas bi-dimensionais e que esta diferença é maior quanto maior o potencial de confinamento. Para a heterojunção de GaAs-AlGaAs e GaAs-GaSb, investigamos a importância da interação elétron-fonons interfaciais sobre a massa de cíclotron. Verificamos que a contribuição dos fonons interfaciais é fundamental nas regiões próximas às resonâncias, onde domina o espectro. Finalmente, calculamos a energia de ligação de uma impureza hidrogenóide, localizada no centro de um ponto quântico circular de GaAs-AlGaAs. Na ausência de campo magnético aplicado, obtivemos uma expressão analítica para a função de onda do elétron ligado. Notamos, que a influência do campo magnético sobre a energia de ligação é fraca nas regiões de pequenos raios, devido ao forte potencial de confinamento.
dc.description.abstractWe calculate the effects of the electron-longitudinal optical (LO) phonons interaction on the intra donor ls &#8594 2p+ transition energy in GaAs-AlGaAs quantum wells structures. Our results to the transition energy as a function of the magnetic Field strength, show that the pinning effect occur in the phonon LO energy in good agreement with recent experimental data. The cyclotron mass of polarons confined in quasi.one.dimensional quantum-well wires with parabolic confinement potential, is also obtained. The behavior of electrons effective mass with magnetic field is different, of the two-dimensional systems, and the difference increase when the confinement potential increase. To heterojunctions of GaAs-AlAs and GaAs-GaSb, we investigate the electroninterfacials optical (IO) phonons interactions on the effective cyclotron mass. We find that the electron-IO-phonons interaction is fundamental near the resonances, where they dominate the spectra. Finally, the ground state binding energy of donor impurity, placed in the center of a circular quantum dot is calculated. Without magnetic field, we obtained the analytic expression to the bound electron wave function. The influence of the magnetic field on the donor binding energy is weaker, when the radius of the quantum dot became smaller.
dc.formatapplication/pdf
dc.identifier.doi10.11606/T.54.1992.tde-25062009-092513
dc.identifier.urihttp://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54131/tde-25062009-092513/
dc.identifier.urihttp://repositorio.ifsc.usp.br/handle/RIIFSC/7022
dc.languagept
dc.rights.holderOsorio, Francisco Aparecido Pinto
dc.subjectPolaron
dc.subjectPonto quântico
dc.subjectInteração elétron-fonon
dc.subjectImpurezas doadoras em semicondutores
dc.subjectFônons interfaciais ópticos
dc.subjectFio quântico
dc.subjectRessonância de cíclotron
dc.subjectEfeito Zeeman
dc.subjectQuantum well wire
dc.subjectQuantum dot
dc.subjectCyclotron resonance
dc.subjectPolaron
dc.subjectInterfacial optical phonon
dc.subjectImpurity donor in a semiconductor
dc.subjectElectron-phonon interaction
dc.subjectZeeman effects
dc.titleMagnetopolarons em heteroestruturas semicondutoras de baixa dimensionalidade.
dc.title.alternativeMagnetopolaron in low dimensional semiconductors heterostructures.
dc.typeTese de Doutorado
usp.advisorHipolito, Oscar
usp.date.defense1992-12-22
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