Técnica de grade de fotoportadores em estado estacionário

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dc.contributorUniversidade de São Paulo
dc.contributor.authorMisoguti, Lino
dc.date.accessioned2016-09-21T18:10:13Z
dc.date.available2016-09-21T18:10:13Z
dc.date.issued2007-10-03
dc.description.abstractApresentamos neste trabalho uma técnica nova e simples para medida de propriedades de transporte e de cinética de portadores em semicondutores isolantes fotocondutivos. Determinamos propriedades importantes como comprimento de difusão e produto mobilidade-tempo de vida dos portadores no silício amorfo hidrogenado (a-SI:h). Esta técnica baseia-se no efeito de uma grade de concentração de fotoportadores em estado estacionário, criado pela luz de um laser, na condutância de um semicondutor. Assim é possível determinar indiretamente as propriedades de transporte ou de cinética pela simples medida da fotocondutividade na presença de grade de fotoportadores em diferentes condições. o a-S-:h é um semicondutor relativamente novo que merece destaque devido a sua potencialidade para aplicação. Ele é um excelente material fotocondutor produzido na forma de filmes finos. É atualmente largamente utilizado em células solares, fotosensores de grande área e transistores de filmes finos. A sua obtenção, apesar de ser simples, envolve processos complexos e empíricos no processo de formação dos filmes. Portanto é vital o conhecimento das propriedades de transporte e cinética deste material como uma referência da qualidade do material produzido.
dc.description.abstractIn this work we present a new and simple technique to measure transport and kinetic properties in photoconductive insulator semiconductors. Important properties as diffusion length and mobility-lifetime product of hydrogenated amorphous silicon (a-SI:h) was determined. This technique is based on the effect of a steady-state photocarrier grating concentration in the semiconductor conductance created by laser light. It is possible to determine indirectly the transport and kinetic properties simply by measuring photoconductive in the presence of photocarrier grating under diferents condition. The a-SI:h is a reactive new semiconductor with an outstanding potenciality for applications. It is an excellent photoconductor material produced in thin-film forms. Nowadays it has been used in large scale in solar cells, big area photosensor and thin-¬film transistor. Although its production is simple, the formation process of the thin-films is complex and empirical. Therefore the value of the transport and kinetic properties of this material is essential as a reference of quality of the produced material.
dc.formatapplication/pdf
dc.identifier.doi10.11606/D.76.1994.tde-11092007-105735
dc.identifier.urihttp://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-11092007-105735/
dc.identifier.urihttp://repositorio.ifsc.usp.br/handle/RIIFSC/7463
dc.languagept
dc.rights.holderMisoguti, Lino
dc.subjectFilmes finos
dc.subjecta-Si:H
dc.subjectCélulas solares
dc.subjectComprimento de difusão
dc.subjectSilício amorfo
dc.subjectFotoportadores
dc.subjectSolar cells
dc.subjectPhotocarrier
dc.subjecta-Si:H
dc.subjectDiffusion length
dc.subjectAmorphous silicon
dc.subjectThin films
dc.titleTécnica de grade de fotoportadores em estado estacionário
dc.title.alternativeSteady-state photocarrier grating techique
dc.typeDissertação de Mestrado
usp.advisorBagnato, Vanderlei Salvador
usp.date.defense1994-08-17
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