Uma contribuição para caracterização de níveis de energia de impurezas em AlxGa1-xAs tipo n.
| dc.contributor | Universidade de São Paulo | |
| dc.contributor.author | Gatti, Fabio Garcia | |
| dc.date.accessioned | 2016-09-21T18:11:00Z | |
| dc.date.available | 2016-09-21T18:11:00Z | |
| dc.date.issued | 2010-05-13 | |
| dc.description.abstract | Neste trabalho apresentamos medidas de fotocondutividade, decaimento da fotocondutividade persistente, resistência em função da temperatura em amostras de AlxGa1-xAs de gap direto e indireto, dopadas com Si. Comparamos as teorias de Brooks-Herring e Takimoto, ambas referentes ao espalhamento por impurezas ionizadas, e sua aplicabilidade para nosso material. Interpretamos a presença de um estado de energia intermediário nos cálculos da energia de ativação baseado nos resultados de concentração de elétrons livres em função da temperatura .como devido ao defeito D-. Nos resultados de decaimento da fotocondutividade persistente no intervalo de 80 - 100K, contamos com a contribuição do espalhamento por dipolos e propomos o par d+ - VAS- como os responsáveis pela formação destes dipolos e conseqüente melhoria do ajuste da simulação numérica. | |
| dc.description.abstract | In this work, we show results of photoconductivity, decay of persistent photoconductivity, resistance x temperature in Si doped direct and indirect bandgap AlxGa1-xAs. We compare Brooks-Herring and Takimoto theories, both in reference to ionized impurity scattering applied to our material. We interpret the intermediate state in our calculation of activation energy as a D- defect. In the numerical simulation of decay of persistent photoconductivity in the range 80-100 K, we propose the dipole pair d+ - VAS- responsible for the fitting improvement, when the dipole scattering is taken into account. | |
| dc.format | application/pdf | |
| dc.identifier.doi | 10.11606/D.76.2000.tde-05052010-153410 | |
| dc.identifier.uri | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-05052010-153410/ | |
| dc.identifier.uri | http://repositorio.ifsc.usp.br/handle/RIIFSC/7765 | |
| dc.language | pt | |
| dc.rights.holder | Gatti, Fabio Garcia | |
| dc.subject | Defeitos | |
| dc.subject | Mobilidade | |
| dc.subject | Semicondutores | |
| dc.subject | Defects | |
| dc.subject | Mobility | |
| dc.subject | Semiconductors | |
| dc.title | Uma contribuição para caracterização de níveis de energia de impurezas em AlxGa1-xAs tipo n. | |
| dc.title.alternative | A contribution of characterization impurities bandgap in AlxGa1-xAs type n. | |
| dc.type | Dissertação de Mestrado | |
| usp.advisor | Scalvi, Luis Vicente de Andrade | |
| usp.date.defense | 2000-03-29 |