Modulador óptico de intensidade baseado na tecnologia de circuitos integrados monolíticos de microondas
Data
Autores
Título da Revista
ISSN da Revista
Título de Volume
Editor
Resumo
Um modulador óptico de intensidade baseado na tecnologia de circuitos integrados monolíticos de microondas foi investigado. A estrutura do dispositivo é composta de um guia de onda de quatro camadas. O campo elétrico das microondas depleta os portadores na casca ativa e isto resulta na geração de uma variação periódica do índice de refração, isto é, uma rede de difração, devido aos efeitos eletro-óptico e dopagem. A interação do campo óptico com a estrutura periódica resulta na modulação da intensidade da luz. O projeto especial do guia de onda óptico proporciona alto fator de confinamento na casca ativa resultando também em alto coeficiente de acoplamento, situado entre 8 e 17 cm-1. A concentração de portadores e espessura da casca ativa está compreendida entre 2x1017 e 1018 cm-3 e 0.23 e 0.065 μm, respectivamente. O comprimento do dispositivo situa-se entre 500 e 2200 μm para índices de modulação superiores a 50%. Larguras de banda tão amplas quanto 24GHz para 50% e 12 GHz para 90% de índice de modulação foram obtidas. A atenuação óptica média devido à absorção dos materiais é ∼ 0.25 dB. A voltagem aplicada está situada entre 3.0 e 7.0V. Devido à característica capacitiva do dispositivo, não há praticamente drenagem de corrente, resultando em muito baixo consumo de potência
A MMIC based intensity modulator was investigated. The device optical structure is composed of a four layer waveguide. The microwave electric fields depletes the carriers in na active cladding which generates a periodic refractive índex variation, a grating, due to the electro-optic and doping effects. The interaction of the optical field with the grating results in the intensity modulation of the light. The specially designed optical waveguide provides a high confinement factor in the active cladding, resulting in a high coupling coefficient ranging from 8 to 17cm-1. The Carrier concentration and thickness of the active cladding range from 2x1017 to 1018 cm-3, and from 0.23 to 0.065 μm, respectively. The device lenght extents from 500 to 2200 μm for modulation índex higher than 50%. Bandwidth is as high as 24GHz for 50% and 12GHz for 90% of modulation índex. The average device material optical attenuation is ∼ 0.25 dB. The driving voltage ranges from 3.0 to 7.0V. Since the device is capacitive it drains very small current resulting in very low power consuption