Estudos de Campo Eletrico em Super-Redes δ-SiGaAs atraves das Tecnicas de Espectroscopia Raman e Fotorefletancia

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dc.contributorUniversidade de São Paulo
dc.contributor.authorSousa, Dione Fagundes de
dc.date.accessioned2016-09-21T18:11:48Z
dc.date.available2016-09-21T18:11:48Z
dc.date.issued2014-02-18
dc.description.abstractNeste trabalho fazemos um estudo dos campos elétricos existentes em super-redes δ-Si:GaAs As técnicas de espectroscopia Raman e fotorefletancia foram utilizadas para fins de comparação do campo elétrico medido indiretamente (Raman) e diretamente (fotorefletancia). Com o objetivo de eliminar os campos elétricos através do efeito fotovoltaico, foram feitas medidas de fotorefletancia para altas intensidades do feixe de prova, porem apenas reduções de ate 30% no valor destes campos foram obtidas. Os tempos de resposta dos portadores responsáveis pela modulação dos campos elétricos foram inferidos através de medidas de fotorefletancia sensível a fase e estão em bom acordo com os tempos medidos através de uma técnica de fotorefletancia desenvolvida em nosso laboratório
dc.description.abstractIn the present work we report a study of surface and interface electric fields in δ-Si:GaAs superlattices. Techniques such as photoreflectance (PR) and Raman spectroscopy were used to determine surface electric fields in a direct and indirect way, respectively. The results agree with those expected by Fermi level pinning at the surface. In order to eliminate electric fields via photovoltaic effect, photoreflectance spectra were obtained at high probe intensities, but reductions of just 30% were achieved. In time domain, we show that carriers response time responsible for modulation of electric field can be obtained by means of phase sensitive PR, and are in good agreement with those measured in a time resolved PR technique, developed in our laboratory
dc.formatapplication/pdf
dc.identifier.doi10.11606/D.76.1996.tde-06022014-175042
dc.identifier.urihttp://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-06022014-175042/
dc.identifier.urihttp://repositorio.ifsc.usp.br/handle/RIIFSC/8062
dc.languagept
dc.rights.holderSousa, Dione Fagundes de
dc.subjectFotorefletância
dc.subjectRaman
dc.subjectSemicondutores
dc.subject&#948-doped
dc.subjectPhotoreflectance
dc.subjectSemiconductor
dc.titleEstudos de Campo Eletrico em Super-Redes δ-SiGaAs atraves das Tecnicas de Espectroscopia Raman e Fotorefletancia
dc.title.alternativeTime-resolved photoreflectance in δ superlattices
dc.typeDissertação de Mestrado
usp.advisorNunes, Luiz Antonio de Oliveira
usp.date.defense1996-09-26
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