Estados superficiais em sistemas quase-bidimensionais
| dc.contributor | Universidade de São Paulo | |
| dc.contributor.author | Farias, Gil de Aquino | |
| dc.date.accessioned | 2016-09-21T18:09:11Z | |
| dc.date.available | 2016-09-21T18:09:11Z | |
| dc.date.issued | 2015-03-05 | |
| dc.description.abstract | Neste trabalho estudamos o efeito da rugosidade da interface isolante-semicondutor, sobre a energia do estado fundamental do elétron ligado a uma impureza ionizada, situada próxima desta interface, para um sistema MOSFET de SiO2-Si [001]. Para impurezas doadoras situadas no Si, a energia de ligação e obtida através do método variacional, e os resultados são comparados com os de N.O.Lipari. Com impurezas situadas no oxido, a energia de ligação também e calculada de modo variacional, e a blindagem dos elétrons e levada em conta numa teoria de resposta linear. Os resultados obtidos são compatíveis com os experimentais, e indicam que o efeito da rugosidade e importante na blindagem dos elétrons. Calculamos também a energia de separação entre subbandas elétricas de uma camada de inversão de Si tipo n. Para isto, consideramos um potencial \"nearly self-consistent\" e o efeito da rugosidade e incorporado ao Hamiltoniano do sistema através do potencial imagem e da mudança da barreira de potencial na interface. Os resultados mostram uma mudança significativa na energia de separação entre as sub-bandas, e indicam que a rugosidade da interface isolante-semicondutor não pode ser desprezada, num calculo onde os efeitos de troca e correlação são levados em conta. Considerando elétrons sobre uma superfície de um filme de hélio líquido, calculamos a massa efetiva e a energia de formação do anion superficial. Para este cálculo usamos o me todo variacional de Feynman. Com isto, os resultados são válidos para qualquer campo elétrico aplicado. Tais resultados, quando comparados com os de outras teorias do anion superficial, permitem-nos inferir os intervalos de campo elétrico em que as mesmas são validas | |
| dc.description.abstract | We have investigated the effect of surface roughness on the binding energies of an electron bound to an ionized impurity center localized near the interface both in the silicon and in the silicon-dioxide of a MOS - Si [001] system. We have also discussed the roughness effects on the electric-subband energy separation in n-type Si inversion layer. The calculation reported here shows that those effects are significant and are in satisfactory agreement with experimental data. In the case of electrons on liquid helium surface, we have calculated the effective mass and the formation energy of a surface anion (electron-ripplon interaction). We have used the Feyman variational method, and the results we have got gives the range of validity of other approximations | |
| dc.format | application/pdf | |
| dc.identifier.doi | 10.11606/T.54.1980.tde-04032015-210004 | |
| dc.identifier.uri | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54131/tde-04032015-210004/ | |
| dc.identifier.uri | http://repositorio.ifsc.usp.br/handle/RIIFSC/7252 | |
| dc.language | pt | |
| dc.rights.holder | Farias, Gil de Aquino | |
| dc.subject | Não disponível | |
| dc.subject | Not available | |
| dc.title | Estados superficiais em sistemas quase-bidimensionais | |
| dc.title.alternative | Not available | |
| dc.type | Tese de Doutorado | |
| usp.advisor | Hipolito, Oscar | |
| usp.date.defense | 1980-03-28 |