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Navegando Repositório Institucional IFSC por Assunto "δ-Si:GaAs"
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- ItemEspalhamento Raman eletrônico via flutuações de densidade de spin em super-redes δ-Si:GaAs(2014-04-16) Anjos, Virgílio de Carvalho dosNeste trabalho apresentamos um cálculo teórico para o espalhamento Raman eletrônico via flutuações de densidade de spin de uma super-rede δ-dopada de GaAs. A estrutura eletrônica da super-rede é determinada utilizando-se a teoria do funcional densidade dentro da aproximação de densidade local. O cálculo da seção de choque revela que sob condições de extrema ressonância existe uma forte dependência das formas de linha com a freqüência de excitação indicando a coexistência de um gás bi e tri-dimensional de elétrons nesta estrutura. Os resultados obtidos mostram excelente acordo entre teoria e experimento.